Şirketin sunduğu çözümler arasında zHBM adlı yeni bellek mimarisi, 400 katmandan fazla V-NAND hücresi içeren V10 BV-NAND, edge yapay zeka uygulamaları için zNAND-O ve bellek işlemede yenilikçi bir yaklaşım sunan LPDDR5X-PIM yer alıyor.
Veri merkezleri için tasarlanan yeni mimariler
zHBM teknolojisi, yapay zeka hızlandırıcıları doğrudan üzerine dikey olarak yığılan HBM belleğine dayalı yeni bir mimaridir. Bu yapı, belleği yan yana konumlandıran eski yönteme kıyasla performansı sekiz kata kadar artırıyor. Ayrıca yeni nesil uydu kaynağı teknolojisi kullanarak mevcut HBM5 teknolojisine göre bellek yoğunluğunu 10 kattan fazla artırırken, enerji verimliliğini üçe katlamayı başarıyor.
Depolama çözümlerinde yoğunluk artışı
V10 BV-NAND olarak adlandırılan yeni V-NAND belleği, 400 katmandan fazla bellek hücresi içeriyor ve SSD'ler, bellek kartları ve diğer depolama türlerinde kullanılıyor. Bu teknoloji, önceki V9 kuşağına kıyasla bellek yoğunluğunu yaklaşık yüzde 58 oranında artırıyor ve okuma, yazma ile giriş-çıkış performansını iyileştiriyor.
Yapay zeka ve bellek üretiminin etkisi
Samsung ve SK Hynix, dünya bellek üretiminin çoğunluğunu kontrol eden iki ana şirket konumundadır. Ancak her iki üretici de mevcut yapay zeka talebinin yarattığı bellek ihtiyacına yetişememektedir. Bu durum oyun konsollarından akıllı telefonlara ve dizüstü bilgisayarlara kadar her türlü elektronik ürünün fiyatlarını çarpıcı şekilde yükseltmiştir.
Yorumlar (0)
Henüz yorum yok. İlk yorumu siz yazın.